专利类型: 相变材料专利导航公开(公告)号: CN203615799U申请日: 2013-07-02申请局: CN摘要: 本实用新型提供一种半导体相变激发装置,包括至少一个半导体制冷片,所述半导体制冷片的制冷侧设置有相变介质通道。本实用新型提供的上述方案,采用了相变蓄能技术,通过对相变的主动控制,摆脱了显热蓄能的局限,大大提高蓄热密度的同时达到了长期低热损储能的目的。采用上述方案的跨季蓄能系统建造、使用成本低,使用寿命长。原始专利权人: 樊建华当前专利权人: 樊建华