半导体相变激发装置

专利类型: 
相变材料专利导航
公开(公告)号: 
CN203615799U
申请日: 
2013-07-02
申请局: 
CN
摘要: 
本实用新型提供一种半导体相变激发装置,包括至少一个半导体制冷片,所述半导体制冷片的制冷侧设置有相变介质通道。本实用新型提供的上述方案,采用了相变蓄能技术,通过对相变的主动控制,摆脱了显热蓄能的局限,大大提高蓄热密度的同时达到了长期低热损储能的目的。采用上述方案的跨季蓄能系统建造、使用成本低,使用寿命长。
原始专利权人: 
樊建华
当前专利权人: 
樊建华