一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法

本发明涉及一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法，包括以下步骤：(1)：首先，在二维相变材料表面生长一层金属薄膜；(2)：接着，对二维相变材料进行退火，使得金属薄膜吸收热量转变为纳米金属颗粒；(3)：最后，将退火后的二维相变材料转入微波腔体，微波处理，即实现二维相变材料发生半导体‑金属相变。与现有技术相比，本发明使用纳米金属颗粒辅助微波诱导二维半导体材料发生相变，方法简单易实现，特别是在具有二维相变材料的电子器件中可简单容易的实现相变过程，因而在电子行业具有广泛的应用价值和前景。