一种复合薄膜相变材料

本发明提供了一种复合薄膜相变材料，涉及纳米材料技术领域，所述复合薄膜相变材料的化学结构式为(SnO2/Ge2Sb2Te5)n，其中n为正整数，所述复合薄膜相变材料是通过磁控溅射法将SnO2纳米薄膜和Ge2Sb2Te5纳米薄膜进行纳米量级复合制备而成，所得到的复合薄膜相变材料形成的类超晶格结构能够提供较大的析晶活化能、较好的十年数据保持能力、较大的晶态电阻和非晶态电阻以及较高的非晶态/晶态电阻比，更重要的是，该复合薄膜相变材料可实现纳秒级别的相转变，与传统Ge2Sb2Te5材料相比，在具有较大的晶态电阻和非晶态电阻的同时也保持了较快的相变速度。