一种具有缓冲层的低功耗的相变存储单元及其制备方法

本发明公开了一种具有缓冲层的低功耗的相变存储单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。一种具有缓冲层的低功耗的相变存储单元包括衬底以及依次设置在衬底上的底电极、绝缘层和顶电极，绝缘层中具有连通顶电极和底电极的通孔，通孔内依次设置有加热电极、缓冲层和相变材料功能层，加热电极的下表面与底电极接触，相变材料功能层的上表面与顶电极接触，缓冲层材料为CuSbM2，其中，M为S或者Se。由于硫系化合物材料CuSbM2(M＝S,Se)具有较高的电导率和较低的热导率，当其作为缓冲层，可以在不影响相变存储器单元性能的前提下，阻止相变材料功能层向外的热传导，与未采用缓冲材料层的器件操作功耗有了明显的降低。