一种半导体储存器用锗砷硒碲粉体、靶材及其制备方法

本发明公开了一种半导体储存器用GeAsSeTe粉体的制备方法，属于相变材料领域。本发明所述GeAsSeTe粉体的制备方法中，通过先将Ge、As、Se、Te四种元素按两两元素混合制备成三种二元合金，不仅减少了后续粉体产品对设备的高要求，同时解决了Se和Te的易挥发及与其他两种元素合金化不均的问题；所述GeAsSeTe粉体的制备过程温度较低，避免了元素的挥发而造成合金的组分配比不均匀，所得产品合金化程度高且含氧量低，满足工业生产要求；所述制备方法无需真空密闭环境，反应过程简单且反应容器可重复使用，经济成本低。本发明还公开了提供所述半导体储存器用GeAsSeTe粉体的制备方法制备得到的GeAsSeTe粉体及其进一步制备的GeAsSeTe靶材，该材料具有致密度高、组分均匀且含氧量低等优点。