相变尖端存储单元、集成电路及其制造方法

一种存储单元、具有可能位于存储单元阵列中的一个或多个存储单元的集成电路(IC)、以及制作存储单元和IC的方法。各个存储单元包括其尖端是相变材料的触针。相变尖端可以被夹在电极与导电材料例如氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、或n型半导体之间。相变层可以是硫族化物，确切地说是锗(Ge)、锑(Sb)、碲(Te)(GST)层。