一种多级相变V2O5薄膜材料及其制备方法和应用

本发明涉及一种多级相变V2O5薄膜材料及其制备方法和应用。利用反应沉积法在磁控溅射的过程中发生钒与O2的反应并沉积于衬底，通过控制Ar气与O2气流量及溅射气压，生成V2O5，而不是钒的其他氧化物。所制得的V2O5薄膜在200～300nm厚度下的可逆相变过程中均出现非晶态、中间态和晶态三个不同相，呈现出3个不同电阻值，相较于传统的两态存储，本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有更高的存储密度；且本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较快的相变速度，其10年数据保持温度达到200℃，远大于传统Ge2Sb2Te5材料的85℃，具有较好的热稳定性。本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较高的产业应用价值。