一种纳米复合TiO2‑Sb2Te相变存储薄膜材料及其制备方法

本发明公开了一种纳米复合TiO2‑Sb2Te相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是相变存储薄膜材料为介质材料TiO2与相变材料Sb2Te的复合物，其化学结构式为(TiO2)x(Sb2Te)100‑x，其中0<x<10，由TiO2陶瓷靶和Sb2Te合金靶在磁控溅射镀膜系统中通过双靶共溅射获得，优点是该纳米复合薄膜材料具有结晶温度高、结晶时间短、较大非晶态与晶态之间明显的电阻或反射率差异，非晶化所需功耗低，较好的可逆相变能力；该复合薄膜材料的结晶温度（Tc）为157‑188 ºC，250 ºC下晶态电阻为302‑8870 Ω/□，粗糙度为87.98‑1.654 nm。